Toshiba ha anunciado su nueva generación de memorias NAND flash 3D BiCS. Estas contarán con tecnología de celdas de cuatro niveles (QLC) de cuatro bits cada una. Se trata del primer dispositivo de memoria flash 3D en hacer uso de dicha tecnología.
Estos nuevos chips ofrecen una capacidad de 768 gigabit. De este modo, supera claramente a la anterior generación TLC. Esta apenas cuenta con 512Gb y celdas de tres niveles de tercera generación.
Además, su estructura de celdas apiladas de 64 capas alcanza una capacidad de die de 768 gigabit. Dicha cantidad equivale a 96 gigabytes, por ende es la capacidad de die más grande del mundo hasta la fecha.
Además, permite la fabricación de dispositivos de 1,5 Terabytes con el uso de un stack de 16 dies en un solo paquete. Gracias a esto, Toshiba se posiciona como la empresa líder en densidad de almacenamiento flash.
Para desarrollar la NAND flash 3D BiCS, Toshiba ha combinado su diseño de circuitos avanzados y la tecnología líder de procesamiento de memoria flash 3D. Las primeras muestras de este dispositivo serán presentadas en el evento Flash Memory Summit, entre el 7 y el 10 de agosto.
